Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов. Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач "за руку" приведут студентов к научным результатам.
Nastojaschee, uzhe trete izdanie "Osnov fiziki poluprovodnikov" dolzhno zapolnit nishu mezhdu uchebnikami po fizike tverdogo tela i nauchnymi statjami putem detalnogo objasnenija elektronnykh, kolebatelnykh, transportnykh i opticheskikh svojstv poluprovodnikov. V knige primenen skoree fizicheskij, chem strogo formalnyj podkhod k rassmatrivaemym javlenijam. Strogaja teorija dana lish dlja objasnenija eksperimentalnykh rezultatov. Kniga prednaznachena kak dlja studentov, tak i dlja nauchnykh rabotnikov. Osnovnoe vnimanie udeljaetsja objasneniju fizicheskikh svojstv Si i podobnykh emu tetraedricheskikh poluprovodnikov, prichem objasnenie dano s tochki zrenija fizicheskoj kartiny javlenija. Kazhdaja glava soderzhit tablitsy s parametrami materialov, risunki i zadachi. Mnogie iz etikh zadach "za ruku" privedut studentov k nauchnym rezultatam.
