Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Dannuju knigu mozhno schitat pervym v mirovoj praktike izdaniem, v kotorom na sovremennom urovne predstavleny elektronnye svojstva dislokatsii v poluprovodnikakh Ge i Si i v poluprovodnikovykh soedinenijakh A2B6. Kniga vypolnena v vide neskolkikh obzornykhstatej, napisannykh akademikom Ju.A.Osipjanom sovmestno s ego uchenikami, javljajuschimisja veduschimi spetsialistami v oblasti fiziki dislokatsii v poluprovodnikakh. V knige provedeno sistematicheskoe izlozhenie sovremennykh dannykh po vlijaniju dislokatsii na elektronnyj energeticheskij spektr, elektricheskie i opticheskie kharakteristiki poluprovodnikov. Podrobno rassmotreno vzaimodejstvie dislokatsii s drugimi defektami i primesjami. Kniga prednaznachena dlja nauchnykh sotrudnikov i inzhenerov, spetsializirujuschikhsja voblasti fiziki tverdogo tela, a takzhe dlja prepodavatelej, aspirantov i studentov sootvetstvujuschikh spetsialnostej.
