В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии детально и с минимальным количеством отсылок к другим источникам рассмотрены физические явления в полупроводниковых фоторезисторах и принципы построения микроэлектронных фотоприемных устройств. Описаны монокристаллические и поликристаллические фоторезисторы, изготовленные на основе кремния и германия, халькогенидов свинца и кадмия, антимонида индия и кадмий-ртуть-теллура, квантово-размерных структур. Рассмотрены структуры, схемотехнические и конструктивные особенности интегральных и гибридных фотоприемных устройств, в том числе матричных формирователей сигналов изображения. Приведены основные характеристики промышленных фоторезисторов и фотоприемных устройств, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения - от ультрафиолетового до инфракрасного. Для студентов, обучающихся по направлениям "Оптотехника", "Лазерная техника и лазерные технологии", "Фотоника и оптоинформатика", "Электроника и...
V predlagaemom vnimaniju chitatelej uchebnom posobii detalno i s minimalnym kolichestvom otsylok k drugim istochnikam rassmotreny fizicheskie javlenija v poluprovodnikovykh fotorezistorakh i printsipy postroenija mikroelektronnykh fotopriemnykh ustrojstv. Opisany monokristallicheskie i polikristallicheskie fotorezistory, izgotovlennye na osnove kremnija i germanija, khalkogenidov svintsa i kadmija, antimonida indija i kadmij-rtut-tellura, kvantovo-razmernykh struktur. Rassmotreny struktury, skhemotekhnicheskie i konstruktivnye osobennosti integralnykh i gibridnykh fotopriemnykh ustrojstv, v tom chisle matrichnykh formirovatelej signalov izobrazhenija. Privedeny osnovnye kharakteristiki promyshlennykh fotorezistorov i fotopriemnykh ustrojstv, chuvstvitelnykh v razlichnykh spektralnykh diapazonakh opticheskogo izluchenija - ot ultrafioletovogo do infrakrasnogo. Dlja studentov, obuchajuschikhsja po napravlenijam "Optotekhnika", "Lazernaja tekhnika i lazernye tekhnologii", "Fotonika i optoinformatika", "Elektronika i...
