В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также...
V knige rassmotreny osobennosti raboty submikronnykh MOP-tranzistorov, opisany napravlenija razvitija i ogranichenija primenenija metodov masshtabirovanija tranzistorov, predstavleny trebovanija k podzatvornym dielektrikam i tekhnologii ikh formirovanija, razlichnye konstruktsii stok-istokovykh oblastej MOPT i tekhnologicheskie protsessy sozdanija melkozalegajuschikh legirovannykh sloev. Rassmotreny problemy vlijanija masshtabirovanija razmerov elementov v submikronnuju oblast i osobennostej tekhnologicheskikh protsessov na nadezhnost i dolgovechnost submikronnykh MOP-tranzistorov. Predstavleny dannye o vlijanii tekhnologicheskikh protsessov izgotovlenija submikronnykh SBIS (protsessov plazmennoj obrabotki, ionnogo legirovanija i tekhnologicheskikh operatsij perenosa izobrazhenija) na degradatsiju podzatvornogo dielektrika, a znachit - na uroven vykhoda, nadezhnost i dolgovechnost godnykh gotovykh izdelij. Kniga prednaznachena dlja spetsialistov v oblasti proektirovanija i razrabotki tekhnologii izgotovlenija KMOP SBIS, a takzhe...
