1. Kirjat
  2. Luonnontieteet
  3. Sistemy na kristalle s vstroennymi antennami na nanogeterostrukturakh A3V5

Sistemy na kristalle s vstroennymi antennami na nanogeterostrukturakh A3V5

Системы на кристалле с встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5
Sistemy na kristalle s vstroennymi antennami na nanogeterostrukturakh A3V5
Tekijä(t)
Kieli
Mitat
245/170/30 mm
Kustantaja
Ilmestymisvuosi
Sidosasu
Sivumäärä
528
ISBN
978-5-94836-526-8
 
Tuote poistunut valikoimasta.
Ilmoita kun saatavana Lisää suosikkeihin
В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова" Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010-2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А3В5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств. .Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы, ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России" на 2007-2013 годы и на 2014-2020 годы. .
V sbornik voshli stati sotrudnikov Federalnogo gosudarstvennogo avtonomnogo nauchnogo uchrezhdenija "Institut sverkhvysokochastotnoj poluprovodnikovoj elektroniki imeni V.G. Mokerova" Rossijskoj akademii nauk (ISVCHPE RAN), opublikovannye v period 2010-2017 gg. po novym napravlenijam issledovanij nanogeterostruktur A3V5 (arsenid gallija i nitrid gallija): raschet i modelirovanie sistem na kristalle s integrirovannymi antennami i usiliteljami dlja krajne vysokikh chastot, sozdanie fotoprovodjaschikh antenn dlja teragertsevykh ustrojstv. .Stati ispolzovany pri vypolnenii rabot po zakazu Minobrnauki Rossii v ramkakh: FTSP "Razvitie elektronnoj komponentnoj bazy i radioelektroniki" na 2008-2015 gody, FTSP "Nauchnye i nauchno-pedagogicheskie kadry innovatsionnoj Rossii" na 2009-2013 gody, FTSP "Issledovanija i razrabotki po prioritetnym napravlenijam razvitija nauchno-tekhnologicheskogo kompleksa Rossii" na 2007-2013 gody i na 2014-2020 gody. .
Tuoteryhmä
EAN
9785948365268
YKL-kirjastoluokitus:
80.71
Lisää samankaltaisia
  • Posh M.
    Ilmestymisvuosi: 2020
    Kova kansi
    54.00 €
    49.09 € veroton
  • Sapozhnikov V. V.
    Ilmestymisvuosi: 2021
    Kova kansi
    100.00 €
    90.91 € veroton
  • Kajns Sandra
    Ilmestymisvuosi: 2019
    Pehmeä kansi
    48.00 €
    43.64 € veroton
  • Kuhlmann Torben
    Ilmestymisvuosi: 2024
    Kova kansi
    34.00 €
    30.91 € veroton
  • Rozhdestvenskaja Ekaterina Robertovna
    Ilmestymisvuosi: 2024
    Kova kansi
    27.00 €
    24.55 € veroton
  • Pakhomov Nikolaj Anatolevich
    Ilmestymisvuosi: 2024
    Pehmeä kansi
    28.00 €
    25.45 € veroton
  • Ilmestymisvuosi: 2024
    Erikoispakkaus
    36.00 €
    28.57 € veroton
  • Teremkova Natalja Ernestovna
    Ilmestymisvuosi: 2024
    Pehmeä kansi
    9.00 €
    8.18 € veroton
  • Kühl Olaf
    Ilmestymisvuosi: 2024
    Kova kansi
    26.00 €
    23.64 € veroton
  • Wiedeman Reeves
    Ilmestymisvuosi: 2024
    Kova kansi
    28.00 €
    25.45 € veroton