В учебном пособии дан единый взгляд на построение моделей элементов кремниевых интегральных схем (ИС) на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводниковых приборов. Приведены классификация моделей и подходы к их синтезу. Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования элементов и фрагментов ИС. Включены примеры двумерного и трехмерного моделирования с использованием численных моделей физических процессов в МОП- и биполярных транзисторах, И2Л-элементах в самых разнообразных режимах их функционирования. Приводятся также результаты анализа элементов в случае учета влияния эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды. Пособие предназначается для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а также может быть полезно аспирантам и инженерам, использующим модели элементов ИС в своих исследованиях.
V uchebnom posobii dan edinyj vzgljad na postroenie modelej elementov kremnievykh integralnykh skhem (IS) na osnove fundamentalnoj sistemy uravnenij fiziki poluprovodnikovykh priborov. Privedeny klassifikatsija modelej i podkhody k ikh sintezu. Opisany osnovnye ispolzuemye v nastojaschee vremja na praktike modeli i rassmotreny metody identifikatsii ikh parametrov. Privedeny svedenija o programmnom obespechenii modelirovanija elementov i fragmentov IS. Vkljucheny primery dvumernogo i trekhmernogo modelirovanija s ispolzovaniem chislennykh modelej fizicheskikh protsessov v MOP- i bipoljarnykh tranzistorakh, I2L-elementakh v samykh raznoobraznykh rezhimakh ikh funktsionirovanija. Privodjatsja takzhe rezultaty analiza elementov v sluchae ucheta vlijanija effektov silnogo legirovanija, samorazogreva i temperatury okruzhajuschej sredy. Posobie prednaznachaetsja dlja studentov starshikh kursov sootvetstvujuschikh spetsialnostej, a takzhe mozhet byt polezno aspirantam i inzheneram, ispolzujuschim modeli elementov IS v svoikh issledovanijakh.
