В пособии на примере полупроводников типа AIIIBV и AIIBVI рассмотрены типичные межфазные превращения (потенциалопределяющие реакции), протекающие в системах многокомпонентное соединение - вода (рН). При этом поверхность представлена в виде структуры, состоящей из поверхностного фазового слоя и приповерхностного кристаллического слоя, находящегося между поверхностным фазовым слоем (или при отсутствии такового - раствором) и объемом твердого тела. Данное пособие поможет моделировать границы раздела фаз сложных неорганических веществ и материалов, целенаправленно прогнозировать и создавать их межфазные границы с необходимым составом и строением путем различных (электро) химических операций, устранять или вводить дефекты в приповерхностные области кристаллических веществ, управлять свойствами структур типа П-М, П-Д и осуществлять наноструктурирование поверхности кристаллических материалов. Пособие предназначено на студентов, обучающихся по направлениям "Химия", "Химия, физика и...
V posobii na primere poluprovodnikov tipa AIIIBV i AIIBVI rassmotreny tipichnye mezhfaznye prevraschenija (potentsialopredeljajuschie reaktsii), protekajuschie v sistemakh mnogokomponentnoe soedinenie - voda (rN). Pri etom poverkhnost predstavlena v vide struktury, sostojaschej iz poverkhnostnogo fazovogo sloja i pripoverkhnostnogo kristallicheskogo sloja, nakhodjaschegosja mezhdu poverkhnostnym fazovym sloem (ili pri otsutstvii takovogo - rastvorom) i obemom tverdogo tela. Dannoe posobie pomozhet modelirovat granitsy razdela faz slozhnykh neorganicheskikh veschestv i materialov, tselenapravlenno prognozirovat i sozdavat ikh mezhfaznye granitsy s neobkhodimym sostavom i stroeniem putem razlichnykh (elektro) khimicheskikh operatsij, ustranjat ili vvodit defekty v pripoverkhnostnye oblasti kristallicheskikh veschestv, upravljat svojstvami struktur tipa P-M, P-D i osuschestvljat nanostrukturirovanie poverkhnosti kristallicheskikh materialov. Posobie prednaznacheno na studentov, obuchajuschikhsja po napravlenijam "Khimija", "Khimija, fizika i...
