В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия, как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.Монография подготовлена в Южном федеральном университете.Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.
V knige rassmatrivajutsja voprosy relaksatsii poluprovodnikovoj plenki za schet energii deformatsii. Uchityvaetsja odnovremenno izmenenie uprugoj energii nesootvetstvija, kak za schet dislokatsionnoj perestrojki, tak i za schet mekhanizma neodnorodnogo raspredelenija sostava komponent plenki. Sformulirovany sistemy uravnenij opisyvajuschikh protsessy relaksatsii. Postroeny kompjuternye modeli plenki SiGe nanometrovoj tolschiny na Si podlozhke i SiGe ostrovkov nanometrovykh razmerov na smachivajuschem sloe, uchityvajuschie vlijanie mekhanodiffuzii, nalichie dislokatsij nesootvetstvija, tunnelnykh treschin, pronikajuschikh i vintovykh dislokatsij. Vypolneny raschety postroennykh modelej s ispolzovaniem metoda konechnykh elementov, approksimirujuschikh formul i iteratsionnogo algoritma. Osoboe vnimanie udeleno podrobnomu obsuzhdeniju poluchennykh rezultatov i sootvetstvujuschim vyvodam. Predstavlennye rezultaty pomogajut opredelit optimalnye rezhimy vyraschivanija nanorazmernykh epitaksialnykh geterostruktur.Monografija podgotovlena v Juzhnom federalnom universitete.Dlja studentov, aspirantov i nauchnykh rabotnikov, spetsializirujuschikhsja v oblasti mekhaniki deformiruemogo tverdogo tela.
