В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
V monografii analiziruetsja vlijanie ionizirujuschikh izluchenij (II), preimuschestvenno kosmicheskogo prostranstva, na kharakteristiki izdelij mikro- i nanoelektroniki. Rassmotreny: osnovy fiziki vzaimodejstvij II s poluprovodnikami; izmenenie elektrofizicheskikh parametrov pribornykh struktur v rezultate obrazovanija nanorazmernykh defektov pod dejstviem II; dozovye ionizatsionnye effekty v strukture Si/SiO2 i ikh vlijanie na kharakteristiki priborov i mikroskhem; osobennosti radiatsionnykh ispytanij izdelij, izgotovlennykh po MOP-, KMOP-, a takzhe po bipoljarnoj tekhnologii, na stojkost k vozdejstviju nizkointensivnogo II; odinochnye sobytija v izdelijakh mikro- i nanoelektroniki pri vozdejstvii otdelnykh zarjazhennykh chastits. Dlja tekhnicheskikh spetsialistov, rabotajuschikh v oblasti elektroniki, a takzhe dlja studentov i aspirantov.
